Есть ли толк от UFS-памяти в смартфоне и как это понять
Более 95% пользователей при покупке смартфона ориентируются на объем постоянной памяти, но не обращают внимания на ее тип. А зря — этот параметр напрямую влияет на производительность мобильного устройства. Разберемся, нужна ли смартфону ультрабыстрая память, что такое UFS, на что влияет класс UFS-памяти в вашем гаджете.
Аббревиатура UFS расшифровывается как «универсальный флеш-накопитель». Это стандарт встроенной памяти, приходящий на смену eMMC. Последний тип представляет собой модифицированный SD, используемый в картах microSD.

UFS можно сравнить скорее с твердотельными накопителями SSD
Ключевое отличие UFS от eMMC заключается в том, что eMMC работает в полудуплексном режиме, то есть может одновременно либо записывать информацию, либо считывать ее. Память UFS способна считывать и записывать данные одновременно.
О чем умалчивают изготовители
Когда производитель пишет в инструкции к мобильному устройству, что скорость последовательного чтения/записи составляет 250/125 Мб/с (или «пропускная способность – до 250 Мбайт»), он имеет в виду линейный обмен данными, то есть скорость копирования файлов. Параметр практически бесполезный для среднестатистического пользователя, но зато эти цифры выглядят солидно.
Для работы приложений намного важнее скорость работы с небольшими блоками информации и возможность параллельной обработки данных.
Скорость случайного чтения/записи eMMC и UFS
Версия 5.1, последняя спецификация стандарта eMMС, ограничена 11000 IOPS по произвольному чтению и 13000 IOPS по случайной записи. Для сравнения:
- UFS 2.1 — 45000/40000 IOPS;
- UFS 3.0 — 68000/63000 IOPS.
IOPS – максимально возможное количество операций чтения или записи в секунду. Выводы очевидны, но есть нюансы.
«Синтетические» показатели и реальность
Встроенная память существует не сама по себе. Она лишь часть системы, отдельная переменная в программно-аппаратном уравнении производительности смартфона в конкретный момент времени. С максимальными же значениями, прописанными в технических спецификациях, в «полевых» условиях сталкиваться не придется. vВ реальности же возможна ситуация, когда в тестах (даже при одном и том же процессоре и объеме оперативной памяти) гаджет с eMMC 5.1 с разгромным счетом проигрывает устройству с UFS 2.0 в графической производительности и последовательном чтении, но выигрывает в случайной записи.
Типы флеш-памяти в мобильных устройствах: быстрее, умнее, лучше
![]()
Для хранения данных в различных «умных» гаджетах используются накопители на базе флеш-памяти. Они имеют много подвидов, различающихся по типу подключения, поколениям и скоростям. Почему один и тот же объем памяти в бюджетном и флагманском устройстве — это не одно и то же? И почему не всякая память одинаково полезна? Ответы на эти вопросы — в нашем материале.
Исторически первыми и единственными накопителями персональных компьютеров на протяжении долгого времени были жесткие диски. Флеш-память в начале своего развития была дорогая, и создать доступный по цене накопитель приличного объема в те времена просто не представлялось возможным. И только в последнее десятилетие новые технологии стали позволять производить накопители на флеш-памяти нужного для ПК объема по достаточно доступной цене, вследствие чего системные жесткие диски в пользовательских компьютерах и ноутбуках плавно заменили SSD.
В противовес этому, даже первые мобильные устройства с мультимедийными возможностями изначально оснащались накопителями на базе флеш-памяти и картами памяти на их же основе. Благо объемы тогда были небольшие, а устанавливать даже небольшой жесткий диск в мобильное устройство было чревато чувствительностью к падениям, большим энергопотреблением, размерами и весом устройства. Впрочем, редкие исключения все же были — взять тот же Nokia N91 2006 года с миниатюрным жестким диском. Однако практически все устройства с тех годов и по сегодняшний день оснащаются именно накопителями на базе флеш-памяти. Ее развитие в мобильных устройствах имеет долгую историю, за которую сменилось несколько типов памяти, у каждой из которой есть несколько версий со своими особенностями. Рассмотрим варианты памяти, встречающиеся в современных устройствах.
Встроенная память Embedded MMC основана на стандарте карт памяти MultiMedia Card, впервые представленном в 1997 году. В 1999 году был представлен усовершенствованный стандарт MMC 2.0, в 2001-м — MMC третьей версии. Первые варианты карт MMC не блистали высокой скоростью, вследствие чего для основы стандарта внутренней памяти мобильных устройств их спецификации подходили мало.
![]()
MMC 4.0, увидевший свет в 2003 году, получил возможность значительного увеличения скорости «общения» карт с устройством — ранее используемый однобитный режим передачи данных по умолчанию сменил четырехбитный, опционально мог задействоваться и режим 8-бит. Эти спецификации легли и в основу первого стандарта встроенной памяти семейства eMMC под версией 4.1, разработанного организацией JEDEC в середине 2007 года. Последующие версии стандартов 4.2, 4.3, 4.4 и 4.41 включают в себя улучшения по управлению питанием памяти, контроль плохих блоков, оптимизации для операций чтения и записи. Максимальная скорость передачи данных первых версий eMMC ограничена 52 МБ/c. С версии 4.4 она удвоена до 104 МБ/с.
В 2011 году JEDEC представила стандарт eMMC 4.5, основным улучшением которого является увеличение скорости интерфейса до 200 МБ/c благодаря более быстрой шине. В версии eMMC 5.0, датирующейся 2013 годом, пиковая скорость передачи интерфейса вновь увеличилась вдвое, была проведена большая оптимизация для достижения более высокой производительности памяти в режиме случайной записи. Последняя версия стандарта eMMC 5.1 датируется 2015 годом, включая в себя новые оптимизации операций чтения и записи. Благодаря этому венец развития eMMC в реальном использовании стал немного быстрее своей предыдущей версии, хотя пропускная способность интерфейса осталась прежней.
![]()
Карты памяти MMC с портативных устройств уже давно вытеснили их «внуки» стандарта Secure Digital (SD), который является дальнейшим развитием MMC. А встроенную eMMC в среднебюджетных и флагманских устройствах заменила более совершенная память UFS. Несмотря на это, внутренняя память eMMC широко используется огромных количеством бюджетных устройств и по сей день — для них ее скорости достаточны, да и обходится такая память производителям дешевле более быстрых современников.
Как бы ни совершенствовалась eMMC, с каждым годом становилось все понятнее, что ей нужна более высокопроизводительная замена. В 2011 году организацией JEDEC был опубликован стандарт первой версии новой мобильной памяти следующего поколения — Universal Flash Storage (UFS).
Различия между двумя типами памяти оказались куда глубже, чем в простом увеличении скорости. Память eMMC использует параллельный доступ подобно интерфейсу IDE старых компьютерных жестких дисков. UFS же основана на последовательном интерфейсе, как у более современных SATA и NVMe. Аналогично последнему реализована у UFS и масштабируемость — для достижения более высокой пропускной способности можно задействовать сразу несколько линий интерфейса. Помимо этого, благодаря другой внутренней организации и использованию очереди команд память нового типа демонстрирует гораздо более высокие показатели случайных операций, которые особенно важны для увеличения скорости работы операционной системы устройства и установленных программ.
К тому же интерфейс у eMMC полудуплексный. То есть данные с максимальной скоростью в один момент времени могут передаваться только в одном направлении — либо от накопителя к устройству, либо от устройства к накопителю. Параллельное чтение и запись делят между собой пропускную способность и приводят к снижению производительности. UFS такой проблемы лишена — интерфейс полнодуплексный, и максимальная скорость обмена может достигаться одновременно в обоих направлениях.
![]()
Первая версия UFS основывалась на одной линии со скоростью соединения 300 МБ/c. В 2012 году была выпущена спецификация 1.1, которая включала некоторые улучшения по управлению памятью, но скорость не увеличивала. Производители мобильных чипов и гаджетов на то время не видели особых смысла в использовании UFS первых версий — конкурирующий eMMC 4.5 мог передавать до 200 МБ/с, а разработка и внедрение в SoC контроллера для работы с памятью нового типа удорожала их при сравнительно небольшом выхлопе. При этом сами чипы памяти для UFS находились в начале своего развития и стоили достаточно дорого, что также делало внедрение нового вида накопителей экономически невыгодным.
В 2013 году было представлено второе поколение UFS. Новая спецификация включала доработки управления питанием для лучшего энергосбережения и улучшенные функции безопасности. Но самое главное — версия 2.0 получила значительное увеличение пропускной способности интерфейса. Скорость линии удвоили до 600 МБ/c, а количество самих линий нарастили до двух, в результате чего максимальная пропускная способность увеличилась до 1200 МБ/c. Такие улучшения по сравнению с eMMC были уже гораздо более существенны, и практическим внедрением нового типа памяти заинтересовалась компания Samsung. Южнокорейский гигант, который сам разрабатывает память и системы на чипе для мобильных устройств, первым внедрил в свой флагманский SoC Exynos 7420 контроллер памяти UFS 2.0. Новая память дебютировала в линейке смартфонов Samsung Galaxy S6.
В 2016 году было решено обновить спецификацию UFS до версии 2.1, добавив в нее поддержку индикатора «здоровья» памяти, оптимизацию операций записи, введение приоритета команд и возможность безопасного обновления микрокода прошивки. По функциональности и принципам работы накопители данного типа становились все больше похожими на своих старших братьев — SSD.
![]()
В 2018 году была представлена спецификация нового поколения памяти UFS 3.0. Введен новый режим обновления команд, предусмотрен расширенный рабочий температурный режим от -40 до 105 °C, ведь память данного типа все больше начинала применяться в автомобилестроении. Линий передачи данных все также две, но они значительно ускорились. Теперь каждая способна выдать до 1450 МБ/c, вследствие чего общая пропускная способность увеличивается до 2900 МБ/c.
К 2020 году память UFS набрала популярность в массовых мобильных устройствах, и JEDEC представила еще две обновленные спецификации — топовую UFS 3.1 и мейнстримовую UFS 2.2. Новинки не получили увеличения пропускной способности интерфейса, но обзавелись новой функцией WriteBooster, еще на один шаг приблизив мобильную память к SSD. Технология призвана увеличить скорость записи по сравнению с предшественниками за счет добавления SLC-кеша.
Высокопроизводительная UFS 3.1 дополнительно получила еще два нововведения — режим глубокого сна DeepSleep для меньшего энергопотребления и функцию Performance Throtlling Notification для контроля производительности при перегреве памяти. Также было добавлено расширение стандарта UFS Host Performance Booster. Оно предусматривает кеширование в ОЗУ карты логических и физических адресов памяти, благодаря чему должна повыситься скорость доступа к накопителям большого объема.
![]()
Летом 2022 года была представлена последняя на данный момент спецификация быстрой мобильной памяти — UFS 4.0. В ее основе все те же две несменные линии, каждая из которых удвоила свою пропускную способность до 2900 МБ/c, тогда как общая скорость по двум линиям может доходить до невероятных 5800 МБ/c. Помимо ускорения линий, новая спецификация подразумевает снижение питающего напряжения, за счет чего память должна меньше греться и быть более экономичной. UFS 4.0 получила поддержку многоуровневых очередей запросов Multi-Circular Queue, усовершенствованный интерфейс RMPB и несколько новых команд для снижения системных задержек.
Отдельно стоит упомянуть о картах памяти UFS. Если память eMMC «выросла» из стандарта для карт памяти MMC, то здесь все наоборот: карты UFS появились благодаря развитию встроенной памяти UFS, которую в данном контексте правильнее называть eUFS. Первая версия стандарта UFS Card датирована 2016 годом и основана на UFS 2.0, но использует одну линию вместо двух. Это дает 600 МБ/c пропускной способности при сохранении всех остальных функциональных преимуществ.
![]()
Обновленная версия UFS Card 1.1 была представлена в 2018 году вместе со стандартом UFS 3.0. Потолок скорости остался прежним, изменения ограничились добавлением некоторых функций и оптимизаций от «старшей сестры» UFS 3.0. В 2020 году была представлена последняя на данный момент версия UFS Card 3.0, для работы которой все так же используется одна линия, но с удвоенной скоростью передачи данных — до 1200 МБ/c. К сожалению, карты памяти формата UFS так и не нашли применения в реальных массовых устройствах, хотя компания Samsung анонсировала выпуск таких продуктов уже несколько раз.
Apple NVMe
До 2015 года память eMMC использовалась повсеместно во всех мобильных гаджетах, независимо от производителя. В 2015 году, когда Samsung выпустила первый смартфон c UFS 2.0, компания Apple решила пойти по своему пути развития скоростной памяти в собственных гаджетах. Система на чипе Apple A9, ставшая сердцем смартфона iPhone 6S, впервые включала в себя кастомный NVMe-контроллер для связи с внутренним накопителем. По сути, компания перенесла компьютерный NVMe SSD в смартфон — с некоторыми упрощениями и более медленной памятью, но все же.
![]()
Как и в случае других своих разработок, Apple не раскрывала подробности технических характеристик своего накопителя. Судя по независимым тестам, в чипе A9 устанавливалась разновидность NVMe-контроллера собственной разработки Apple, который использовался компанией в ноутбуке MacBook 12" 2015 года выпуска. Этот контроллер подключается по четырем линиям шины PCI-E 2.0 и обеспечивает максимальную пропускную способность в 2 ГБ/c.
Все последующие системы на чипе компании оснащаются похожими NVMe-контроллерами собственной разработки с аналогичной пропускной способностью. Начиная со смартфонного чипа A14 и планшето-ноутбучного M1, в состав разработок Apple входит более скоростной NVMe-контроллер c максимальной пропускной способностью до 3.9 ГБ/c. Однако память в смартфонах этих значений не достигает, среди мобильных гаджетов только планшеты iPad на чипе M1 с большим объемом памяти способны превышать прежний порог в 2 ГБ/c на кратковременных операциях. Более быстрые компьютерные чипы M1 серий Pro, Max и Ultra имеют в своем составе самый быстрый NVMe-контроллер компании со скоростью до 7.8 ГБ/c, но в смартфонах и планшетах они не встречаются, оставаясь прерогативой ноутбуков и компьютеров компании.
Сравнение разных типов памяти
Высокие скорости и тысячи операций в секунду красиво выглядят на бумаге. Но не стоит забывать, что любой вид памяти из описанной троицы — это всего лишь спецификация. Компьютерный интерфейс NVMe 4.0 x4 имеет пропускную способность более 7 ГБ/c, но все ли SSD с его поддержкой достигают на практике этих значений? То же самое и с мобильными видами накопителей. Сравним разные виды памяти в таблице ниже, учитывая как заявленные спецификации, так и наиболее часто встречающиеся в реальных устройствах характеристики каждого вида памяти.
* данные презентации памяти UFS 4.0 производства компании Samsung.
Как видите, разброс между скоростью интерфейса и устанавливаемой памяти в большинстве случаев довольно существенный. Более того, приведены данные для одних из самых емких накопителей каждого типа памяти. Например, для UFS 3.1 цифры производительности даны для накопителя объемом 512 ГБ, тогда как для смартфонов с 256 или 128 ГБ такой памяти некоторые характеристики могут быть значительно меньше. Компания Apple не анонсирует изменения в каждом поколении своих контроллеров, поэтому в таблице ее устройства даны одной строкой — из-за этого разброс указанных характеристик по сравнению с другими типами памяти еще больше.
![]()
Тем не менее, чем новее тип памяти в устройстве, тем быстрее в среднем его накопитель. Однако стоит учитывать, что отдельно вид накопителя вы все равно выбрать не сможете: все зависит от используемой системы на чипе, у которой должна быть поддержка того или иного вида памяти, и от реализации ее возможностей в самом смартфоне. К тому же не стоит забывать, что у младших модификаций устройств с самым малым в линейке количеством памяти скорость последней чаще всего значительно меньше, чем у моделей с большим объемом накопителя.
Как правило, современные мобильные устройства высокого ценового диапазона оснащаются памятью с интерфейсом UFS 3.1 (или NVMe в случае Apple). В среднем классе встречаются как третья, так и вторая версии UFS. А в бюджетный, где до сих пор господствует eMMC, все чаще проникают некоторые смартфоны с UFS 2.x. Топовые модели конца этого года впервые начали оснащаться самой скоростной мобильной памятью UFS 4.0, экспансия которой ждет флагманский сегмент смартфонов в 2023 году.
NVMe против UFS 3.1: Битва типов памяти в смартфонах. Разбор
Apple мало что рассказывает нам про внутренности своих девайсов. Как будто скрывает от нас страшную тайну!
Например, знали ли вы что в iPhone и в Android используется совершенно разный тип флеш-памяти? NVMe в iPhone и UFS в Android.
Флеш-память
Начнём с того что на флешках, картах памяти, в смартфонах и SSD-дисках — везде используют один тот же тип памяти — флеш-память. Это современная технология, пришедшая на смену магнитным носителям информации, то есть жестким дискам.
У флеш-памяти куча преимуществ. Она энергоэффективная, дешевая, прочная и безумно компактная. На чипе размером с монетку помещается до терабайта данных!

Размер чипа Toshiba на фото 16×20 мм
Но как удаётся хранить такие огромные объемы информации при таких крошечных размерах?
Как работает флеш-память?
Давайте разберемся как устроена флеш-память.
Базовая единица современной флэш-памяти — это CTF-ячейка. Расшифровывается как Charge Trap Flash memory cell, то есть Память с Ловушкой Заряда. И это не какая-то образная ловушка а самая настоящая.

Эта ячейка способна запирать электроны внутри себя и хранить их годами! Примерно как ловушка из фильма «Охотники за привидениями». Так что даже если ваш SSD-диск ни к чему не подключен и просто так лежит в тумбочке, знайте — он полон энергии.
Наличие или отсутствие заряда в ячейке компьютер интерпретирует как нули и единицы. В общем-то как и всё в мире технологий.

Таких ячеек много и они стоят друг над другом. Поэтому такая компоновка ячеек называется Vertical NAND или VNAND. Она крайне эффективна и очень интересно организована.

Многоэтажная память
Небольшая аналогия. Представьте, что память — это огромный многоэтажный жилой комплекс, в котором каждая квартира — это ячейка памяти.
Так вот, в одном доме этого ЖК всегда 6 подъездов, на каждом этаже одного подъезда размещается 32 квартиры, т.е. ячейки памяти. А этажей в таком доме может быть аж 136 штук, но только если это самый современный дом. Такой дом с шестью подъездами называется блоком памяти.

К чему я это всё? NAND память организована так, что она не может просто считать и записывать данные в какую-то конкретную ячейку, ну или квартиру. Она сразу считывает или перезаписывает весь подъезд!
А если нужно что-то удалить, то стирается сразу целый дом, то есть блок памяти. Даже если вы просто решили выкинуть ковер в одной квартире — не важно. Весь дом под снос!
Поэтому прежде чем удалить что-либо приходится сначала скопировать всю информацию в соседний блок.
А если памяти на диске осталось мало, меньше 30% от общего объема, то скорость работы такого диска сильно замедляется. Просто потому, что приходится искать свободный блок- место для копирования.
Так что следите за тем, чтобы память на телефоне или SSD-диске были заполнены не более чем на 70%! Иначе всё будет тупить.
Кстати, по этой же причине стирание информации потребляет намного больше энергии, чем чтение и запись. Поэтому хотите сэкономить заряд, поменьше удаляйте файлы!
Напомню, что в жестких дисках, которые HDD, другая проблема. Там информация считывается по одной ячейке. Жесткий диск вращается, а считывающая головка ездит туда-сюда по всей поверхности диска. И, если файлы разбиты на фрагменты, хранящиеся в разных концах диска — скорость падает. Поэтому, для HDD полезна дефрагментация.
Что такое спецификация?
Но вернёмся к флеш-памяти. Естественно сам по себе чип с памятью бесполезен потому как всей этой сложной структурой нужно как-то управлять. Поэтому существуют целые технологические стеки, которые всё разруливают. Их называют стандартами или спецификациями.
Есть чип с флеш-памятью, как правило это NAND память. Там хранятся данные.
А есть спецификация — это целый набор технологий вокруг чипа, программных и аппаратных, которые обеспечивают взаимодействия с памятью. Чем умнее спецификация, тем быстрее работает память.
Так какие же спецификации используются в наших смартфонах и какая из них самая умная? Давайте разберёмся.
Выход первого iPhone в 2007 году спровоцировал постепенный отказ от карт памяти. Появилась потребность в новом стандарте недорогой флеш-памяти для мобильных устройств. Так появился eMMC, что значит встроенная Мультимедиа карта или Embedded Multimedia Card. То есть прям как eSIM (Embedded SIM).
Стандарт eMMС постепенно обновлялся и его скорости росли. И eMMC до сих пор используется в большинстве смартфонов, но данный стандарт явно не рекордсмен по скорости и сильно проигрывает тем же SSD дискам.



Тогда в 2014 году появился новый стандарт с нескромным названием Universal Flash Storage или UFS! Новый стандарт был во всём лучше eMMC.

Во-первых, в UFS последовательный интерфейс. А это значит, что можно одновременно и записывать и считывать. eMMC мог делать только что-то одно. Поэтому UFS работает быстрее!

Во-вторых, он в два раза более энергоэффективный в простое.
Эффективнее работает с файлом подкачки когда ОЗУ забита. И еще, существуют UFS карты памяти, которые могут быть бесшовно интегрированы во внутреннем хранилище! Это же полноценная модульная память!
Кстати, по этой причине, внутреннюю память телефона правильнее называть eUFS. Embedded, ну вы помните.

UFS вышел сразу же в версии 2.0 в 2015 году, а первым телефоном с этим стандартом стал Samsung Galaxy S6. Samsung так гордились скоростью памяти, что даже выкинули слот microSD из Galaxy S6. Казалось бы, судьба стандартов флеш-памяти предрешена — вот он новый король. Новый USB мира флеш-памяти.
Но внезапно выходит iPhone 6s и мы видим это!


Что? Как такое возможно? Что за чудо память в этих iPhone? Похоже, Apple пошли какой-то своей дорожкой. Если стандарты eMMC и UFS — наследники каких-то там детских карт памяти, то память в iPhone — прямой наследник взрослых SSD-дисков. Потому как в iPhone используется спецификация памяти NVMe. Такая же память используется в компах и ноутбуках.
Название NVMe довольно сложно расшифровывается — NVM Express (NVMe, NVMHCI — от англ. Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification).
Но ключевое слово в названии Express! Почему?
Спецификация NVMe специально разрабатывалась для SSD-дисков с памятью NAND, подключенных по шине PCI Express.
NVMe создавался с нуля как новый способ эффективной работы с SSD-дисками. Из него убрали всё лишнее и сосредоточились на скорости.
Поэтому, благодаря короткому технологическому стеку, NVMe имеет большое преимущество при случайной записи и чтении блоков над остальными стандартами.

Это свойство особенно полезно для работы операционной системы, которая постоянно считывает и генерит кучу маленьких файлов размером по 4 КБ. Случайное чтение и запись NVMe — это то, что делает iPhone таким быстрым.
Но, естественно, Apple не могли просто запихнуть целый SSD в смартфон. Они модифицировали протокол NVMe и разработали свой кастомный PCI-E контроллер.
Поэтому, то что стоит в iPhone — решение абсолютно уникальное и в своё время было революционным. А они об этом даже ничего не сказали! Как всегда делает Apple.
Такая же история с MacBook. Apple первыми отказались от HDD. И они всегда ставят самую быструю память в ноуты. Во многом поэтому, даже на более слабом железе Mac ощущаются быстрее Windows-ноутбуков.
Тесты
Но вернёмся к смартфонам. Мы выяснили, что Android используют UFS-память, а Айфоны NVMe. Но проблема в том, что сложно сказать какая память действительно быстрее.
Скажем так есть, крутое сравнение от компании Micron. На базе кастомного Android девайса они сравнили NVMe и UFS 2.1 и получили преимущество NVMe по всем показателям! Вот такие:
- Последовательная запись > 28%
- Последовательное чтение > 15% быстрее при последовательном чтении.
- IOPS (случайная запись и чтение) > 30%



CPDT Бенчмарк
Но кому это интересно? Сейчас много где есть UFS 3.0, а в Redmi K30 Pro вообще UFS 3.1.
Только посмотрите UFS 3.1 быстрее UFS 2.0 по разным показателям вплоть до 8 раз. Вот с чем надо сравнивать!
UFS 2.0 vs UFS 3.1
- Последовательное чтение — 6X
- Последовательная запись — 8X
- Случайное чтение — 5.3X
- Случайная запись — 5X

Значит надо просто скачать одинаковый тест под iPhone и Android, и готово! Мы узнаем — кто чемпион. Только знаете что? Нет такого теста! Поверьте мы искали. Есть спорные тесты с непонятной методологией (PerfomanceTest), но приличного ничего нет.
Кроме… Вот этого чудесного теста: Cross Platform Disk Test. Работает на всех платформах, подробно описана методология тестирования. И даже есть результаты тестов некоторых iPhone:

Но вот незадача, версия приложения для iOS так и не была выпущена.
Но мы не отчаялись! Как выяснилось, разработчика зовут Максим, он из Минска. Поэтому мы с ним связались и Макс любезно предоставил нам девелопер версию приложения под iOS.
Поэтому сегодня мы наверняка узнаем где всё-таки быстрее память: На самых последних iPhone или на самых крутых Android-смартфонах:
- iPhone 11 Pro — NVMe
- Oneplus 8 Pro — UFS 3.0
- Redmi K 30 Pro — UFS 3.1
- и Macbook Pro 16 — NVMe

В итоге побеждает дружба, в последовательной записи вроде бы все очень неплохо у Apple, но по произвольной они подчистую сливают Android-смартфонам. В копировании — буквальное равенство результатов. При этом заметьте, что Poco F2 Pro с UFS 3.1 показал себя в тестах никак и проиграл и Sony Xperia 1 II, и OnePlus 8 Pro. Возможно решает не только это! А вот в сравнении с «взрослым» NVMe в ноутбуках мобильный NVMe в 3-4 раза медленнее и это конечно не радует. С другой стороны это значит, что смартфонам есть куда расти!

Еще раз хотим поблагодарить Максима за помощь и инструкции! Помните, тест не из лёгких, поэтому если у вас будет вылетать не ругайтесь!
Фюзеляжная память в смартфоне что такое
Фюзеляжная память в смартфоне что такое — советы и пошаговая инструкция
Фюзеляжная память (или embedded-память) в смартфоне — это встроенная память, которая предназначена для хранения операционной системы, приложений и других системных файлов. Она обычно недоступна для пользователя, и ее объем определяется производителем смартфона и моделью.
В отличие от съемных карт памяти, фюзеляжная память не может быть извлечена из устройства, и она более надежна и быстрее работает. Но в то же время, если в устройстве возникнут проблемы с обновлением операционной системы или других системных файлов, фюзеляжная память может перестать работать.
Чтобы сохранить данные на фюзеляжной памяти в безопасности, необходимо регулярно создавать резервные копии данных на внешние накопители или в облачные хранилища. Также следует избегать установки сомнительных приложений, которые могут повредить операционную систему и фюзеляжную память.
Фюзеляжная память является одной из самых важных частей смартфона, поскольку она содержит все необходимые системные файлы для корректной работы устройства. Большинство современных смартфонов имеют достаточно большой объем фюзеляжной памяти, который обеспечивает быструю и стабильную работу устройства.
Однако, при использовании смартфона в течение продолжительного времени на фюзеляжную память может возникнуть ряд проблем, таких как перегрузка системы, недостаточный объем памяти для хранения новых данных и т. д. Поэтому, пользователи должны следить за состоянием фюзеляжной памяти, и очищать ее, если необходимо.
Чтобы оптимизировать работу фюзеляжной памяти, пользователи могут удалить ненужные файлы и приложения, а также перенести некоторые данные на внешние накопители. Кроме того, существует ряд специальных программ, которые помогают очистить память и ускорить работу устройства.
В целом, фюзеляжная память является неотъемлемой частью любого смартфона, и ее правильное использование может значительно повысить производительность и эффективность устройства. Пользователи должны следить за ее состоянием и регулярно проводить ее очистку, чтобы обеспечить бесперебойную работу устройства в течение всего срока его эксплуатации.